BiCD-0.13/CD-0.13 模拟电源工艺平台

    东芝成功开发了一种BiCD-0.13工艺技术，可在同一个芯片上集成多个0.13微米高压模拟元件。这种工艺集合了LDMOS、双极晶体管和各种模拟元件，以0.13微米标准CMOS技术为依托。此外，为满足对成本要求较高的应用需求，东芝还开发了一种CD-0.13工艺技术，这种工艺不使用双极晶体管。

    BiCD-0.13和CD-0.13这两种工艺适用于各种高压模拟应用，例如电源管理和LED驱动器IC，针对汽车、工业和商业用途。我们凭借0.13微米工艺并采取使用TCAD的模拟技术对器件结构进行了优化。特别是额定电压为8 V、18 V、25 V、40 V和60 V的新LDMOS器件，有助于实现行业特定的最低导通电阻RonA。小型器件布局和深槽隔离工艺（DTI）的组合使40V DMOS器件的面积比以往0.35微米产品减小32%。采用新工艺制造的IC已于2010年3月开始发货。